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IPD50P04P4L-11 4P04L11 TO-252 P沟道
Peakseason
IPD50P04P4L-11
其他IC
1
TO-252
2018+
1
全新原装
IPD50P04P4L-11
否
相关产品
产品信息
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 58 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
系列: OptiMOS-P2
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 6.22 mm
下降时间: 39 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IPD50P04P4L11ATMA1 IPD5P4P4L11XT SP000671156
单位重量: 4 g
